|
Реферат: Общие положения SDH и PDH (Радиоэлектроника)
Министерство РФ по связи и информатизации
Уральский Государственный Технический Университет - УПИ
Кафедра "ТиСС"
Отчет
по производственной практике
на ОАО «ЕГУЭС Уралтелеком»
Руководитель практики от предприятия:
Руководитель практики от УГТУ-УПИ:
Время прохождения: с 5 августа по 15 сентября
2002 г.
Студент: Черепанов К.А
Группа: Р-407
Екатеринбург
2002
Содержание:
Список сокращений 3
Предыстория SDH 5
Сети SDH 6
Цикл SDH 7
Структура цикла 7
Мультиплексирование 7
Анализ заголовка 8
Трактовый заголовок 8
Байты трактового заголовка 9
Мультиплексорный заголовок 9
Байты заголовка мультиплексорной секции 9
Заголовок регенерационной секции 10
Байты заголовка регенерационной секции 10
Анализ полезной нагрузки 10
Указатели полезной нагрузки 10
Компонентные блоки и структурная схема мультиплексирования сигнала SDH
11
Управление сетью 12
Список сокращений
Русские сокращения.
АТС Автоматическая телефонная станция
ВОСП Волоконно-оптическая система передачи
ИКМ Импульсно-кодовая модуляция
ИКМ-30 Сокращение, используемое для обозначения потока Е1 с цикловой и
сверхцикловой структурой
ИКМ-31 Сокращение, используемое для обозначения потока Е1 с цикловой
структурой
ЛАЦ Линейно-аппаратный цех (иногда применяется ЛАЗ - линейно-аппаратный
зал)
МВВ Мультиплексор ввода/вывода
МККТТ Международный комитет по телефонии и телеграфии
МСЭ Международный союз электросвязи
МСЭ-Т Международный комитет по телефонии и телеграфии (новое название)
ОКС 7 Система сигнализации по ОКС №7
ОЦК Общий цифровой канал (канал 64 кбит/с)
ПД Передача данных
ПО Программное обеспечение
ПСП Псевдослучайная двоичная последовательность
рек. Рекомендация
РРЛ Радиорелейная линия связи
ССС Спутниковая система связи
ТЧ Канал тональной частоты
УПАТС Учрежденческая производственная АТС
Иностранные сокращения.
ADM Ada-Drop Multiplexor Мультиплексор ввода/вывода - МВВ
ANSI American National Standard Institute Американский
национальный институт стандартов
APS Automatic Protection Switching Автоматическое переключение
ATM Asynchronous Transfer Mode Режим асинхронной передачи
AD Administrative Unit Административный блок
AUG Administrative Unit Group Группа административных блоков
AU-PJE AU Pointer Justification Event Смещение указателя AU
BBE Background block error Блок с фоновой ошибкой
BBERBackground block error rate Коэффициент ошибок по блокам с фоновыми
ошибками
BER Bit Error Rate Параметр ошибки по битам, равен отношению
количества ошибочных битов к общему количеству переданных
BIN Binary Двоичное представление данных
BIP Bit Interleaved Parity Метод контроля четности
B-ISDN Broadband Integrated Service Digital Широкополосная
цифровая сеть с интеграцией Networks служб (Ш-ЦСИС)
CRC Cyclic Redundancy Check Циклическая проверка по избыточности
CRC ERR CRC errors Число ошибок CRC
DEMUX Demultiplexer Демультиплексор
ETS European Telecommunication Standard Европейский
телекоммуникационный стандарт
ETSI European Telecommunication Standard Institute Европейский
институт стандартизации в теле-kоммуникациях, протокол ISDN,
стандартизированный ETSI
FEBE Far End Block Error Наличие блоковой ошибки на удаленном конце
FERF Far End Receive Failure Наличие неисправности на удаленном конце
HEX Hexagonal 16-ричное представление информации
НО-РОН High-order POH Заголовок маршрута высокого уровня
ISDN Integrated Service Digital Networks Цифровая сеть с интеграцией
служб (ЦСИС)
ITU International Telecommunication Union Международный Союз
Электросвязи
ITU-T International Telecommunication Union-Telephony group
Международный Союз Электросвязи подразделение телефонии
LO-POH Low-order POH Заголовок маршрута низкого уровня
M1, М2 Management Interface 1, 2 Интерфейсы управления
MSOH Multiplexer Section Overhead Заголовок мультиплексорной секции
MSP Multiplex Section Protection Цепь резервирования мультиплексорной
секции
MUX Multiplexer Мультиплексор
OSI Open System Interconnection Эталонная модель взаимодействия
открытых систем
РОН Path Overhead Заголовок маршрута
PTR Pointer Указатель в системе SDH
RGEN, REG Regenerator Регенератор
RSOH Regenerative Section Overhead Заголовок регенераторной секции
SDH Synchronous Digital Hierarchy Синхронная цифровая иерархия
SDXC Synchronous Digital Cross Connect Синхронный цифровой коммутатор
SOH Section Overhead Секционный заголовок
STM Synchronous Transport Module Синхронный транспортный модуль -
стандартный цифровой канал в системе SDH
ТСМ Tandem Connection Monitoring Мониторинг взаимного соединения
ТМ Traffic Management Управление графиком
TMN Telecommunications Management Автоматизированная система
управления связью
TU Tributary Unit Блок нагрузки
TUG Tributary Unit Group Группа блоков нагрузки
VC Virtual Container Виртуальный контейнер
Предыстория SDH
SDH (SONET- североамериканский аналог)– это стнадарт для
‘высокоскоростных-высокопроизводительных’ оптических сетей связи; более
известный, как синхронная цифровая иерархия (Synchronous Digital Hierarchy,
Synchronous Optical NETwork), предназначенный для обеспечения простой,
экономичной и гибкой инфраструктуры сети связи.
До SDH имела место плезиохронная цифровая иерархия или PDH
(Plesiochronous Digital Hierarchy), в стуктуре сигнала которой не было
места для сигналов управления и обслуживания сети.
[pic][pic]
Рис1.1 Рис1.2
Сети передачи PDH с высокой пропусконой способностью основаны иерархии
цифровых мультиплексированных сигналов от Е.1 до Е.4.
Базовый блок – первичная скорость 2048 Мб/с (Е.1) может состоять из 30
каналов ТЧ по 64 кб/с. Эти блоки можно объединить и передавать с более
высокой скоростью по высокоскоростным системам передачи. Четыре сигнала
первичной скорости могут быть мультиплексированы до вторичной скорости Е.2
8448 Мб/с и так далее до скорости 139 Мб/с (Е.4). Таким образом, скорость
139 Мб/с представляет 64*2048Мб/с сигналов или 1920 мультиплексированных
каналов ТЧ.
Однако, до SDH не имелось никаких стандартов, которые гарантировали бы
работу обрудования производителей в одной системе, более того, в
плезиохронной сети обращение к одному индивидуальному компоненту требует
демультиплексирования всего сигнала, следовательно, затраты повышаются из-
за демультиплексирования и они удваиваются, потому что встает необходимость
повторно мультиплексировать сигнал.
Острая необходимость в стандартизации синхронных волоконно-оптических
сетей была осознана, лишь когда стали ясны преимущества этих сетей перед
плезиохронными и полным ходом шли разработка и внедрение оборудования для
них. Телекоммуникационные операторы ощутили это первыми. Попытки
состыковать оборудование разных производителей к положительному результату
не привели. В начале 1984 г. в США состоялся Форум по совместимости систем
передачи, который обратился в Американский национальный институт стандартов
(ANSI) с просьбой о скорейшем принятии спецификаций синхронной передачи по
волоконно-оптическим сетям. Цель данной стандартизации - сопряжение
оборудования различных производителей на уровне оптических интерфейсов.
Задача была поставлена перед двумя комитетами ANSI: T1X1, занимающимся
цифровой иерархией и синхронизацией, и T1M1, решающим вопросы сетевого
администрирования и эксплуатации. В результате проделанной этими комитетами
работы родился черновой вариант стандарта под названием SYNTRAN,
основывающийся на скорости передачи 45 Mбит/с. Однако время шло, и
производители создали новые системы. Компания АТ&T, применив самые новейшие
технологии, произвела на свет систему METROBUS, скорость передачи которой
составляла уже 150 Мбит/с. В 1985 г. комитет T1X1 по предложению компании
Bellcore принял решение сформулировать стандарт, базирующийся на концепции
синхронной сети как единого целого (SONET, Synchronous Optical NETwork),
который будет определять наряду с оптическим интерфейсом формат сигнала и
скорость его передачи.
На этом этапе стандартизации европейские институты не проявляли
большого интереса к SONET. Исторически сложилось так, что иерархии
скоростей передачи в США и Европе основывались на различных базовых
скоростях сигналов - Т1 (1,544 Мбит/с) и Е1 (2,048 Мбит/с) соответственно.
Чтобы избежать углубления этой пропасти, требовалось участие Европы в
развитии стандартов синхронной передачи. Однако заинтересовать Европу можно
было лишь возможностью поддержки стандартом SONET 2-мегабитной иерархии.
Летом 1986 г. МККТТ(в настоящее время комитет T в МСЭ, или ITU-T)
наконец решил навести порядок, создав единый стандарт, который удовлетворил
бы обе стороны, т. е. поддерживал бы как европейскую, так и американскую
иерархии. В июле 1986 г. рабочая группа XVII МККТТ начала работу над новым
стандартом синхронной цифровой иерархии (SDH). Полтора года ушло на
согласование рекомендаций. В феврале 1988 г. комитет T1X1 принял
предложения МККТТ по изменению стандарта SONET. Рабочая группа XVIII
утвердила три рекомендации, относящиеся к SDH, которые были опубликованы в
"Синей книге":
G.707. - базовые скорости SDH;
G.708. - сетевой интерфейс узла SDH;
G.709. - структура синхронного мультиплексирования.
Именно эти рекомендации положили начало процессу стандартизации систем
SDH на более детальном уровне, который продолжается и по сей день.
Таким образом, переход от PDH к SDH решал ряд немаловажных проблем, а
именно:
V Упрощение схемы построения и развития сети. Упрощение структурной схемы
сети и сокращение числа требуемого оборудования стали возможными
благодаря тому, что SDH-мультиплексор заменил собой по функциональным
возможностям стойку мультиплексоров PDH. Плезиохронный мультиплексор
демультиплексировал поток для выведения нескольких компонентных сигналов,
а затем мультиплексировал весь набор компонентных сигналов снова. SDH-
мультиплексор выделяет требуемые компонентные сигналы, не разбирая весь
поток. Оборудования нужно меньше, требования к питанию снижаются, площади
освобождаются, затраты на эксплуатацию уменьшаются.
V Высокая надежность сети. Централизованное управление сетью обеспечивает
полный мониторинг состояния каналов и узлов (мультиплексоров).
Использование кольцевых топологий предоставляет возможность
автоматической перемаршрутизации каналов при любых аварийных ситуациях на
резервный путь.
V Полный программный контроль. Управление конфигурацией сети, отслеживание
и регистрация аварийных ситуаций осуществляются программными средствами с
единой консоли управления. В функции центральной управляющей системы
входят также средства поддержки тестирования каналов и контроля за
качеством работы основных блоков мультиплексоров.
V Предоставление услуг по требованию. Создание новых или перемаршрутизация
старых каналов пользователя - вопрос одного часа.
V "Высокий уровень" стандартизации SDH-технологии позволяет использовать
оборудование разных фирм-производителей в одной сети.
Благодаря перечисленным преимуществам SDH стала технологией N 1 для
создания транспортной сети.
Сети SDH
SDH модет использоваться во всех традиционных областях примения сетей.
Только инфраструктура сети SDH обесчпечивает эффективное прямое
взаимодействие между треммя главными видами сетей:
V Локальная сеть
V Сеть кольцевой стуктуры
V Магистральная сеть
Самый низки уровень сигнала назван «Синхронный Транспортный Модуль»
первого уровня или STM-1, имеющий скорость 155 Мб/с. Сигналы более высокого
уровня получаются мультиплексированием с «чередованием байтов» сигналов
низшего уровня. Линейная скорость более высокого уровня STM-N сигнала равна
произведению N на 155.52 Мбит/с, т.е. линейную скорость сигнала самого
низкого уровня.
|Синхронный транспортный модуль |Линейная скорость (Мбит/с) |
|STM-1 |155,52 |
|STM-4 |622,08 |
|STM-16 |2488,32 |
Цикл SDH
SDH сигнал транспортируется, как синхронная структура, которая
включает набор байтов (по 8 бит), организованныйх как двухмерный массив –
синхронный транспортный цикл.
Цикл SDH состоит из 2-х частей:
1. Секционный заголовок (SOH=RSOH+MSOH) – область сигнала, которая
обеспечивается в каждом цикле SDH для выполнения функций, поддерживающих
и обслуживающих транспортировку «виртуальных контейнеров» между смежными
узлами сети
2. Виртуальный контейнер(VC+POH) – включает “контейнерную” область, которая
несет траффик клиента – полезную нагрузку, и трактовый заголовок РОН
Байты в цикле передаются слева-> направо, сверху ->вниз, т.е цикл
передается как последовательность 9 строк.
[pic]-->[pic]
Структура цикла
Цикл SDH можно представить как двухмерный массив из N-строк и M-
столбцов ячеек, каждая из которых – отдельный байт синхронного сигнала.
Идентичность каждого байта известна, и сохраняется относительно байтов
цикловой синнхронизации, известных как А1 и А2, расположенных в самом
начале массива и обеспечивающих точку отсчета, от которой определяются все
остальные байты.
Для сигнала STM-1: N=9 M=270.
Расчет базовой скорости SDH производится следующим образом:
V=N (строк)*M(столбцов)*8 бит (размер ячейки)* 8000циклов/с*=155,52
Мюит/с
*-согласно теории Найквиста (удвоенная самая высокая частота канала ТЧ
4кГц)
Мультиплексирование
Более высокие скорости SDH формируютя процессом мультиплексирования
сигналов более низкого уровня, таким образом, четыре параллельных и
синхронных сигнала STM-1, могт быть объединены вместе методом «чередования
байт», чтобы сформировать сигнал STM-4 со скоростью 4* STM-1.
STM-4 сигнал имеет 9 рядов, но уже 1800 колонок, следовательно,
SDН скорость=9 рядов*1800 колонок*8бит*8000циклов/с=622,08Мбит/с.
Двухмерное представление сигнала STM-4 составляется из индивидуальных
колонок от каждой из четырех STM-1 сигнальных структур и чередованием их в
повторяющейся последовательности.
Полная структура STM-4 составляется следующим образом:
V Первые 36 колонок цикла STM-4 образуют заголовок секции.
V Остальные 1044 колонки представляют 4 области полезной нагрузки,
связанные с четырьмя STM-1
Анализ заголовка
Для управления и обслуживания, сеть SDH может быть представлена в виде
трех отдельных участков:
[pic]
Заголовок внутри SDH сигнала поддерживает обслуживание сети на
уровнях тракта и секции. Заголовок секции (SOH) содержит заголовки
регенерационной (RSOH) и мультиплексорной (MSOH) секций. Трактовый
заголовок расположен в виртуальном контейнере (VC-4) в пределах STM-1.
Трактовый заголовок
Функции:
1. Сообщение трассы тракта
2. Контроль четности
3. Структура виртуальног контейнера
4. Тревожная сигнализации и информация о характеристиках
5. Пользовательский канал
6. Индикация сверхцикла для TU (компонентных блоков)
7. Защитное переключение трактов
Байты трактового заголовка
[pic]
J1- 16-ти или 64х байтное сообщение о маршруте тракта поддерживает
непрерывную проверку между любой точкой тракта и точкой начала тракта
В3 – (побитовый контроль четности) – выполняет функцию контроля трактовых
ошибок.
С2 – указыват структуру виртуального контейнера, посредством метки,
выбранной из 256 возможных значений. Эта информационная структура
указывает, какие полезные нагрузки размещены в пределах виртуального
контейнера.
G1 – сообщение о состоянии наблюдаемых характеристик от приемного
оборудования тракта к передающему.
F2 – байт оператора тракта
Н4 – индикация фазы сверхцикла TU полезных нашрузок
F3 – байт канала пользователя
К3 – обеспечение защиты на уровне тракта, переключение на индивидуальные
тракты VC-4
N1 – сквозной контроль характеристики транзитной связи.
Мультиплексорный заголовок
Функции:
1. Контроль четности
2. Указатели полезной нагрузки
3. Тревожная сигнализация
4. Автоматическое защитное переключение
5. Канал передачи данных
6. Служебная связь
Байты заголовка мультиплексорной секции
[pic]
Н1, 2, 3 (9 байт)– байты указателя административного блока (AU) (определяют
положение начала VC-4 в пределах цикла STM-1)
В2 (3 байта) – контроль ошибок мультиплексорной секции
К1, 2 (2 байта) – защитное переключение мультиплексора
D4-D12 – для передачи управляющей и эксплуатационной информации (только для
STM-1)
S1 – сообщение о состоянии синхронизации, указывает тип источника
синхронизации.
Z1,2 – резерв для стандартизации
М1 – для передачи информации о зарактеристики ошибки от приемного
оборудования мультиплексорной секции к передающему
Е1 – служебная связь
Заголовок регенерационной секции
Функции:
1. Контроль четности
2. Цикловая синхронизация
3. Идентификация STM-1
4. Канал пользователя
5. Канал передачи данных
6. Служебная связь
Байты заголовка регенерационной секции
[pic]
А1, А2 – байты цикловой синхронизации
J0 – используется для периодической передачи 16-ти байтового сообщения о
трассе регенерационной секции
В1 – контроль четности
Е1 – служебная связь
F1 – для нужд оператора
D1,2,3 – управление и обслуживание сети между регенерационной секцией и
оконечным оборудованием.
Анализ полезной нагрузки
Трактовый заголовок всегда находится в первой колонке VC-4
(добавление его завершает формирование виртуального уонтейнера). Остающаяся
емкость (контейнер С-4) может быть загружен 63 TU-12 или 3-мя TU-3
VC-4 может нести смесь компонентных каналов, поэтому в одном и том же
VC-4 можно передавать вместе с нашими компонентами и североамериканские DS-
1.
VC-4 предназначен для передачи полезной нашрузки со соростью 149
Мбит/с
Цикл STM-1 имеет 270 колонок и 9 рядов, причем 9 колонок ипользуются как
заголовок секции, а 1 колонка для трактового заголовка, таким образом,
фактическая емкость полезной нагрузки С-4:
260*9*8*800=149,76 Мбит/с
Указатели полезной нагрузки
VC-4 может начинатся с любой позиции в пределах области полезной
нагрузки. Наиболее часто он нгачинается в одном цикле, а заканчивается в
другом. Эта способность VC-4 перемещаться относительно цикла STM известна
как «плавание».
Байты Н1, Н2 используются для того, чтобы идентифицировать первый байт
плавающего VC-4. С помощью 3-х байт Н3 каждое регулирование перемещает VC-4
на 3 байта (т.е 3 байта относительно цикла STM).
Дело в том, что для борьбы с расхождением генераторов VC-4 может
смещаться в положительную, либо отрицательную сторону на 3 байта.Это
достигается изменением значения указателя полезной нагрузки в приемном
элементе сети. Процесс также компенсирует любое другое фазовое
рассогласование между ринятым SDН сигналом и опорным генератором SDН узла.
Несмотря на положительные стороны, указатели несут в себе и
отрицательные моменты, в частности, когда полезная нагрузка плавает на 3
байта, это вызывает скачок на 24 бита. При извлечении полезной нагрузки из
SDН, скачок на 24 бита вызывает джиттер, который в сво. Очередь создает
проблемы для РDН сетей.
Компонентные блоки и структурная схема мультиплексирования сигнала SDH
[pic]
Рис. 2
На самом низком уровне мы имеем контейнер С-n, где n варьируется от 1
до 4. Этот базовый элемент сигнала STM (Synchronous Transport Module)
представляет собой группу байтов, выделенных для переноса сигналов со
скоростями по рекомендации G.702. Другими словами, это то, что мы имеем на
входе в SDH-мультиплексор.
Данные сигналы преобразуются в так называемые виртуальные контейнеры
(VC-n), где n варьируется от 1 до 4. Виртуальные контейнеры низкого порядка
формируются из контейнера С-1 или С-2 и дополнительной емкости для
трактового заголовка (POH - Раth Overhead). В виртуальные контейнеры
высокого порядка (n=3 или n=4) вместо С-n может входить также сборка
компонентных блоков (TUG). POH включает в себя информацию для контроля
характеристик VC, сигналы для техобслуживания и признаки тревожных
ситуаций. В случае VC высокого порядка в POH входят еще и признаки
структуры мультиплексирования.
Компонентный блок (TU-n), где n варьируется от 1 до 3, состоит из VC и
указателя компонентного блока и обеспечивает сопряжение уровней высокого и
низкого порядка. Значение указателя определяет согласование фазы VC с
добавленным к нему POH компонентного блока. Группа компонентных блоков (TUG-
n), где n=2 или n=3, - это группа идентичных TU или TUG, позволяющая
осуществлять смешение полезной нагрузки.
Преймущества TU:
1. Разработан для того, чтобы четко соответствовать VC-4
2. Допускает прямой доступ к компонентам более низкого уровня
3. Обеспечивает транспортировку, добавление-выделение и коммутацию с
минимальной задержкой
4. Коммутаторы и устройства добавления-выделения не должны
демультиплексировать сигналы более высоких уровней, чтобы получить
доступ к компонентам более низкого уровня.
Административный блок (AU-n), где n=3 или n=4, состоит из VC-3 или VC-
4 и указателя AU. Он обеспечивает сопряжение путей более высокого порядка и
уровня секции с мультиплексированием. Значение указателя определяется
согласованием фазы VC-n с кадром STM-1. Группа административных блоков
(AUG) - группа AU c чередующимися байтами - занимает фиксированное
положение в нагрузке STM-1. Синхронный транспортный модуль (STM-N) содержит
n групп AUG c информацией SOH(Section Overhead), касающейся кадрирования,
обслуживания и работы. N групп AUG чередуются через один байт и находятся в
фиксированном положении по отношению к STM-N.
Управление сетью
Одним из главным преимуществ SDН является наличие средств
обслуживания для управления сетью. Контролируя траффик в элементах сети
можно обнаружить и точно указать дефекты и ошибки в сигналах и сетях.
Характеристика ошибок SDН сети проверяется, используя побитовый
контроль четности (BIP). Ошибки передачи, обнаруженные BIP, передаются
обратным входящим потоком в исходную точку посредством сигнала индикации
ошибки на дальнем конце (REI), или ошибка блока на дальнем конце FEBE. BIP
и связанный с ними REI обеспечиваются на уровне мультиплексных секций, в
трактах высокого уровня VC-4 и трактах низкого уровня TU.
В случае серьезной ошибки (дефекта), а именно, потери сигнала, цикла
или указателя, на передающий конец посылается сообщение RDI (Remote Defect
Indication – индикация удаленного дефекта, либо отаз приемника FERF- Faf
End Recieve Fail). Исходящий поток элементов сети также приводится в
готовность по сигналу индикации аварии AIS, посылаемому с исходящим
потоком.
SDH сети спроектированы таким образом, что имеют возможность боротся с
отказами, используя защитное переключение. Это достигается дублированием
линий передачи между элементами сети. В случае глобального отказа, а
именно, обрыва линии, элемент сети переключит передачу на дублирующую линию
– защита мультиплексорной секции Multiplexer Section Protection (MSP).
-----------------------
Заголовок мультиплексорной секции (MSOH)
Заголовок регенерационной секции (RSOH)
Заголовок тракта (POH)
VC
POH
RSOH
MSOH
Реферат на тему: Общие сведения об интегральных микросхемах
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение.
2. Общие сведения о цифровых интегральных микросхемах.
3. Методы контроля в производстве цифровых интегральных микросхем.
Список используемой литературы.
ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время весьма актуальной задачей является техническое
перевооружение, быстрейшее создание и повсеместное внедрение
принципиально новой радиоэлектронной техники. В решении этой задачи
одна из ведущих ролей принадлежит цифровой технике. Интегральные
микросхемы в настоящее время являются одним из самых массовых изделий
современной микроэлектроники. Применение микросхем облегчает расчет и
проектирование функциональных узлов и блоков радиоэлектронной
аппаратуры, ускоряет процесс создания принципиально новых аппаратов и
внедрения их в серийное производство. Широкое использование микросхем
позволяет повысить технические характеристики и надежность аппаратуры.
Отечественной электронной промышленностью освоен выпуск широкой
номенклатуры микросхем, ежегодно создаются десятки и сотни тысяч новых
приборов для перспективных радиоэлектронных средств. В поиске и выборе
элементной базы и схемотехнических решений существенную помощь может
оказать систематизированная информация о существующих интегральных
микросхемах. Справочные сведения о микросхемах составлены на основе
данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических
условиях на изделия.
1.ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
Условные обозначения ИС, выпускаемых отечественной промышленностью,
устанавливаются ОСТ 11073.915-80, в соответствии с которым обозначения
ИС состоят из четырех основных элементов.
Первый элемент - цифра, обозначающая группу по технологическому
признаку, к первой группе относятся полупроводниковые ИС (цифры
1,5,6,7), ко второй - гибридные ИС (цифры 2,4,8), к третьей - прочие
(цифра 3).
Второй элемент обозначает порядковый номер серии.
Третий элемент состоит из двух букв и определяет функциональное
назначение ИС. Первая из букв определяет подгруппу, а вторая - вид ИС.
Соответствующие данные по функциональному назначению ИС приведены в
таблице 1.
Четвертый элемент - порядковый номер разработки ИС данного
функционального типа
[pic]
Рис 1. Пример условного обозначения ИС 1533ТМ2
Таблица 1. Подгруппы и виды ИС.
|Подгруппа |Вид |Обозначени|
| | |е |
|А |импульсов прямоугольной формы|АГ |
|Формирователи | |АФ |
| |импульсов специальной формы |АА |
| |адресных токов |АР |
| |разрядных токов |АП |
| |прочие | |
|Б |пассивные |БМ |
|Схемы задержки |активные |БР |
| |прочие |БП |
|В |микроЭВМ |ВЕ |
|Схемы |микропроцессоры |ВМ |
|вычислительных |микропроцессорные секции |ВС |
|средств |схемы микропрограммного упра-| |
| | |ВУ |
| |вления |ВР |
| |функциональные расширители |ВБ |
| |схемы синхронизации |ВН |
| |схемы управления прерыванием |ВВ |
| | |ВТ |
| |схемы интерфейса | |
| |схемы управления памятью |ВФ |
| |функциональные преобразовате-| |
| | |ВА |
| |ли информации |ВИ |
| |схемы сопряжения с магистра- |ВХ |
| | |ВГ |
| |лью |ВК |
| |времязадающие схемы |ВЖ |
| |микрокалькуляторы |ВП |
| |контроллеры | |
| |комбинированные схемы | |
| |специализированные схемы | |
| |прочие | |
|Г |гармонических сигналов |ГС |
|Генераторы |прямоугольных сигналов |ГГ |
| |линейно изменяющихся сигналов|ГЛ |
| | |ГФ |
| |сигналов специальной формы |ГМ |
| |шума |ГП |
| |прочие | |
|Д |амплитудные |ДА |
|детекторы |импульсные |ДИ |
| |частотные |ДС |
| |фазовые |ДФ |
| |прочие |ДП |
|Е |выпрямители |ЕВ |
|схемы источников |преобразователи |ЕМ |
|вто- |стабилизаторы напряжения не- |ЕН |
|ричного питания | | |
| |прерывные |ЕК |
| |стабилизаторы напряжения им- | |
| | |ЕТ |
| |пульсные |ЕУ |
| |стабилизаторы тока | |
| |схемы управления импульсными |ЕС |
| | | |
| |стабилизаторами напряжения |ЕП |
| |системы источников вторичного| |
| | | |
| |питания | |
| |прочие | |
|И |регистры |ИР |
|схемы цифровых уст-|сумматоры |ИМ |
| |полусумматоры |ИЛ |
|ройств |счетчики |ИЕ |
| |шифраторы |ИВ |
| |дешифраторы |ИД |
| |комбинированные |ИК |
| |арифметико-логические устрой-|ИА |
| | | |
| |ства |ИП |
| |прочие | |
|К |тока коммутаторы |КТ |
| |и ключи напряжения |КН |
| |прочие |КП |
|Л |И |ЛИ |
|логические элементы|НЕ |ЛН |
| |ИЛИ |ЛЛ |
| |И-НЕ |ЛА |
| |ИЛИ-НЕ |ЛЕ |
| |И-ИЛИ |ЛС |
| |И-НЕ.ИЛИ-НЕ |ЛБ |
| |И-ИЛИ-НЕ |ЛР |
| |И-ИЛИ-НЕ.И-ИЛИ |ЛК |
| |ИЛИ-НЕ.ИЛИ |ЛМ |
| |расширители |ЛД |
| |прочие |ЛП |
|М |амплитудные |МА |
|модуляторы |частотные |МС |
| |фазовые |МФ |
| |импульсные |МИ |
| |прочие |МП |
|Н |диодов |НД |
|наборы элементов |транзисторов |НТ |
| |резисторов |НР |
| |конденсаторов |НЕ |
| |комбинированные |НК |
| |функциональные |НФ |
| |прочие |НП |
|П |частоты |ПС |
|преобразователи |длительности |ПД |
|сигналов |напряжения (тока) |ПН |
| |мощности |ПМ |
| |уровня |ПУ |
| |аналого-цифровые |ПВ |
| |цифроаналоговые |ПА |
| |код-код |ПР |
| |синтезаторы частоты |ПЛ |
| |делители частоты аналоговые |ПК |
| |делители частоты цифровые |ПЦ |
| |умножители частоты аналоговые|ПЕ |
| | |ПП |
| |прочие | |
|Р |матрицы ОЗУ |РМ |
|схемы Запоминающих |матрицы ПЗУ |РВ |
| |ОЗУ |РУ |
|устройств |ПЗУ с возможностью однократ- |РТ |
| | | |
| |ного программирования |РЕ |
| |ПЗУ масочные |РЦ |
| |ЗУ на основе ЦМД |РР |
| |ПЗУ с возможностью многократ-| |
| | | |
| |ного электрического перепрог-|РФ |
| | | |
| |раммирования | |
| |ПЗУ с ультрафиолетовым стира-|РА |
| | |РП |
| |нием и электрической записью | |
| | | |
| |информации | |
| |ассоциативные ЗУ | |
| |прочие | |
|С |амплитудные |СК |
|схемы сравнения |временные |СВ |
| |частотные |СС |
| |компараторы напряжения |СА |
| |прочие |СП |
|Т |ОЛ-триггеры |ТВ |
|триггеры |КЫ-триггеры |ТР |
| |В-триггеры |ТМ |
| |Т-триггеры |ТТ |
| |динамические |ТД |
| |Шмитта |ТЛ |
| |комбинированные |ТК |
| |прочие |ТП |
|У |высокой частоты |УВ |
|усилители |промежуточной частоты |УР |
| |низкой частоты |УН |
| |широкополосные |УК |
| |импульсных сигналов |УИ |
| |повторители |УЕ |
| |считывания и воспроиведения |УЛ |
| |индикации |УМ |
| |постоянного тока |УТ |
| |операционные усилители |УД |
| |дифференциальные |УС |
| |прочие |УП |
|Ф |верхних частот |ФВ |
|фильтры |нижних частот |ФН |
| |полосовые |ФЕ |
| |режекторные |ФР |
| |прочие |ФП |
Первый и второй элементы совместно обозначают серию ИС, перед которой
могут быть поставлены буквы, характеризующие конструкцию корпуса. Для
ИС, разрабатываемых после введения ГОСТ 17467-88.2., перед
обозначением серии ставится буква Н, если корпус керамический, буква
Ф, если корпус пластмассовый. Буква, характеризующая корпус перед
обозначением серии не ставится, если ИС выполнена в металлостеклянном
или металлокерамическом корпусах. Для ИС коммерческого применения
условное обозначение начинается с буквы К, а в экспортном варианте - с
букв ЭК. После условного номера разработки может быть поставлена
буква, если в пределах одного типа выпускаются ИС с различными
электрическими параметрами.
2.Методы контроля в производстве интегральных микросхем
При изготовлении интегральных схем очень важным является контроль
технологических процессов. Хорошо организованный контроль обеспечивает
высокий процент выхода годной продукции. Успешный контроль изготовления
интегральных микросхем в основном зависит от знания процесса производства и
заключается в измерении и визуальной проверке основных операций
технологического процесса, а также в использовании полученной информации
для корректирования технологических режимов. Методы технологического
контроля, используемые в производстве ИМС, можно объединить в три группы:
пооперационный контроль, визуальный контроль, тестовые ИМС.
Методы пооперационного контроля после технологических процессов
эпитаксии, диффузии и других те же, что и в производстве дискретных
приборов. Сюда входят измерения толщин пленок, глубин p-n - переходов,
поверхностной концентрации и др., производимые на специальных контрольных
образцах, помещаемых вместе с обрабатываемыми пластинами на данную
операцию.
Метод визуального контроля играет важную роль в производстве ИМС,
несмотря на кажущуюся тривиальность. Он включает осмотр схем под оптическим
микроскопом и использование различных средств визуализации - наблюдение
термографии и др.
Наконец, один из основных методов контроля параметров ИМС на различных
технологических этапах - это применение тестовых структур. Рассмотрим более
подробно два последних метода.
Визуальный контроль. Существенные данные о состоянии пластины можно
получить визуальной проверкой с помощью микроскопа с большим увеличением -
от 80х до 400х. При этом выявляются такие показатели, как состояние
поверхности, избыточное или недостаточное травление, изменение толщины
окисного слоя, правильность перехода и др.
Одним из наиболее опасных дефектов является пористость окисного слоя,
легко обнаруживаемая при визуальной проверке схемы под микроскопом. Это -
небольшие отверстия в окисном слое, вызванные либо пылью при нанесении
фоторезиста, либо повреждением фотошаблона. Если этот дефект окажется в
критической точке, то последующая диффузия примеси может вызвать короткое
замыкание перехода и выход из строя всей микросхемы.
Одним из эффективных методов визуализации является использование
сканирующего электронного микроскопа, позволяющего наблюдать
топографический и электрический рельеф интегральной микросхемы. Это
наблюдение обеспечивает неразрушающий характер контроля. Для наблюдения
необходимо, чтобы поверхность микросхемы была открытой. Резкое изменение
потенциала на поверхности вызывает изменение контраста изображения,
формируемого вторичными электронами, и свидетельствует о разомкнутой
электрической цепи или о перегретых участках. Этим методом можно легко
обнаружить загрязнение перехода, частицы пыли, проколы в окисном слое и
царапины на тонком слое металлизации. Нормальный градиент потенциала в
резисторе можно наблюдать в виде равномерного изменения цвета от темного на
одном конце резистора до светлого на другом его конце, при этом подложка
имеет более высокое напряжение смещения, как это обычно бывает и
интегральных микросхемах. Изображение резистора поэтому будет рельефным.
Установив ряд таких изображений интегральных компонентов, соответствующих
норме, можно судить на основании сравнения с этими эталонами об отклонениях
и вызвавших их причинах. Увеличение энергии электронов в луче позволяет
проникать в поверхностный слой для обнаружения таких дефектов, как трещины.
Для измерения термических профилей с выявлением перегретых участков
разработан инфракрасный сканирующий микроскоп. Микроскоп включает ИК-
детектор с высокой разрешающей способностью, объединенный с прецизионным
сканирующим и записывающим устройствами. Чувствительным элементом является
пластина антимонида индия, поддерживаемая при температуре жидкого азота.
Такую аппаратуру используют для оценки качества конструкции данной
микросхемы в отношении рассеяния тепла и мощности. Термосканирующий прибор
имеет следующие достоинства: высокая разрешающая способность-порядка 1*10-3
мм2 , высокая чувствительность к изменению температуры - порядка 2°С,
широкий температурный диапазон-от 30 до нескольких сотен градусов, высокая
скорость срабатывания - единицы мкс, неразрушающее и бесконтактное
измерение.
В планарных структурах на поверхности схемы хорошо видны горячие
участки, возникающие в результате наличия проколов в окисле и диффузионных
каналов в полупроводнике. Отклонения от нормы обнаруживают путем сравнения
с нормально функционирующими стандартами ИМС. В последние годы широкое
применение получили термографические системы, основанные на использовании
термочувствительных красок. Пленки из термочувствительных красок, в том
числе жидких кристаллов, нанесенные на поверхность интегральной микросхемы,
поставленной под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, что позволяет,
наблюдая ИМС под микроскопом, фиксировать изменение температуры с точностью
до 0.5° С.
Тестовые интегральные микросхемы. Наличие в интегральных микросхемах
большого количества конструктивных элементов - по несколько сотен и тысяч
пересечений проводников, переходов со слоя на слой, областей и выводов
активных и пассивных компонентов, контактных площадок и др. Практически
исключает 100%-ный контроль всех элементов по электрическим параметрам из-
за высокой трудоемкости этой операции. В это же время необходимость такого
контроля, особенно на этапе отработки и совершенствования технологии,
очевидна.
Для контроля электрических характеристик структур и качества
проведения технологических операций используют специально изготовляемые или
размещаемые на рабочей подложке структуры, называемые тестовыми
микросхемами. Основной принцип их построения состоит в том, что тестовая
микросхема по отношению к реальной должна быть изготовлена по тому же
технологическому маршруту, содержать все конструктивные элементы в
различных сочетаниях и обеспечивать удобство их контроля во время испытаний
и оценку качества технологического процесса. Удобство контроля достигается
либо последовательным, либо параллельным включением в электрическую цепь
элементов микросхемы. Тестовые микросхемы состоят из набора нескольких
сотен однотипных элементов-диодов, транзисторов резисторов, переходов со
слоя на слой, пересечений проводников и др. с контактными площадками и
такой коммутацией, которая позволяет при надобности изменить каждый элемент
схемы отдельно или проконтролировать сразу группу элементов. Например,
тестовая резисторная схема является последовательной схемой, содержащей 200
элементов, между которыми имеются контактные площадки. Если в реальной ИМС
встречаются высокоомные и низкоомные резисторы, то делают две различные
тестовые микросхемы, отображающие специфику каждого типа резисторов.
Аналогичный подход используется для тестовых микросхем транзисторов и
диодов.
Наряду с тестовыми микросхемами контроль отдельных компонентов, в
первую очередь диодов и транзисторов, производится с помощью тестовых
кристаллов. Тестовый кристалл содержит набор изолированных элементов,
встречающихся в интегральной микросхеме. Его размеры близки к размеру чипа
и на пластине расположено тестовых кристаллов столько же, сколько
размещается интегральных микросхем.
Применение тестовых микросхем и кристаллов позволяет организовать
эффективный технологический контроль производства ИМС и сократить
трудоемкость при проведении при проведении испытаний на надежность БИС,
особенно на этапе отработки технологии.
С повышением функциональной сложности интегральных микросхем резко
возрастает трудоемкость и сложность операций контроля их параметров.
Практически невозможно проверить интегральную микросхему без
автоматизированных контрольно-измерительных систем.
Список используемой литературы:
1. «Интегральные микросхемы» Справочник. Москва, издательство «Радио и
связь»
2. «Справочник радиолюбителя». Киев, издательство «Технiка».
| |
