|
Реферат: Блок памяти (Радиоэлектроника)
Министерство Путей Сообщения
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОТКРЫТЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ
СООБЩЕНИЯ
Воронежский Филиал
КУРСОВАЯ РАБОТА
ПО СХЕМОТЕХНИКЕ
на тему: “Разработка блока памяти микропроцессорной системы”
|Выполнил: студент 3 курса |
|Бобкин И. Г. |
|уч. шифр: 96 - ВЭВМ – 810 |
| |
| |
|Рецензент: к.т.н. доцент |
|Ермаков А.Е. |
| |
ВОРОНЕЖ
1999
СОДЕРЖАНИЕ
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА. 3
1. Задание на курсовое проектирование 3
2. Особенности построения блоков памяти 4
3. Описание принципов работы разрабатываемых блоков. 6
3.1. Разработка электрических схем блоков ПЗУ и ОЗУ. 6
3.2. Разработка селектора адреса. 8
3.3. Временная диаграмма работы БП. 9
4. Расчет электрических параметров блока памяти. 10
ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ. 12
1. Функциональная схема блока памяти. 12
Литература 14
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА.
1. Задание на курсовое проектирование
Разработать блок памяти микропроцессорной системы,
где: объём ПЗУ составляет 20К*8 и строится на микросхемах К556РТ20
объём ОЗУ составляет 10К*8 и строится на микросхемах К132РУ9А
серия микросхем используемых в качестве дешифраторов,
буферов шин и т.д. – 1554
Режимы работы блока памяти определяются внешними управляющими сигналами
MEMWR, MEMRD.
2. Особенности построения блоков памяти
Компактная микроэлектронная “память” широко применяется в современной
электронной аппаратуре самого различного назначения. В ЭВМ память
определяют как функциональную часть, предназначенную для записи, хранения и
выдачи команд и обрабатываемых данных. Комплекс технических средств,
реализующих функцию памяти, называют запоминающим устройством (ЗУ).
Для обеспечения работы процессора (микропроцессора) необходимы
программа, т. е. последовательность команд, и данные, над которыми
процессор производит предписываемые командами операции. Команды и данные
поступают в основную память ЭВМ через устройство ввода, на выходе которого
они получают цифровую форму представления, т. е. форму кодовых комбинаций О
и 1. Основная память, как правило, состоит из ЗУ двух видов — оперативного
(ОЗУ) и постоянного (ПЗУ).
Оперативное ЗУ предназначено для хранения переменной информации, оно
допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором
вычислительных операций с данными. Это значит, что процессор может выбрать
(режим считывания) из ОЗУ код команды и данные и после обработки поместить
в ОЗУ (режим записи) полученный результат. Причем возможно размещение в ОЗУ
новых данных на местах прежних, которые в этом случае перестают
существовать. Таким образом, ОЗУ может работать в режимах записи,
считывания и хранения информации.
Постоянное ЗУ содержит информацию, которая не должна изменяться в
ходе выполнения процессором программы. Такую информацию составляют
стандартные подпрограммы, табличные данные, коды физических констант и
постоянных коэффициентов и т. п. Эта информация заносится в ПЗУ
предварительно, и в ходе работы процессора может только считываться. Таким
образом ПЗУ работает в режимах хранения и считывания.
Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ: ОЗУ может работать в
качестве ПЗУ, т. е. в режиме многократного считывания однократно записанной
информации, а ПЗУ в качестве ОЗУ использовано быть не может, так как не
позволяет в процессе работы изменить, занесенную в него информацию. В свою
очередь, ПЗУ обладает преимуществом перед ОЗУ в свойстве сохранять
информацию при сбоях и отключении питания. Это свойство получило название
энергонезависимость. Оперативное ЗУ является энергозависимым, так как
информация, записанная в ОЗУ, утрачивается при сбоях питания.
Для микросхем памяти, выпускаемых отечественной промышленностью,
характерны широкая номенклатура типов, значительное , разнообразие
вариантов конструктивно-технологического исполнения, большой диапазон
функциональных характеристик и значений электрических параметров,
существенные различия в режимах работы и в областях применения.
Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологии на
основе кремния с высокой степенью интеграции компонентов на кристалле, что
определяет их принадлежность к большим интегральным схемам (БИС).
Конструктивно БИС 'памяти представляет собой полупроводниковый кристалл с
площадью в несколько десятков квадратных миллиметров, заключенный в корпус.
Микросхемы памяти для построения блока памяти микропроцессорной
системы выбирают, исходя из следующих данных: требуемая информационная
емкость и организация памяти, быстродействие (время цикла обращения для
записи или считывания), тип магистрали (интерфейса), характеристики линий
магистрали (нагрузочная способность по току и емкости, требования к
устройствам ввода-вывода подключаемых узлов и др.), требования к
энергопотреблению, необходимость обеспечения энергонезависимости, условия
эксплуатации, конструктивные требования.
3. Описание принципов работы разрабатываемых блоков.
В разрабатываемом блоке память подключена к микропроцессору (МП)
посредством трех шин: шины данных (ШД), шины адреса (ША) и шины управления.
При обращении к памяти МП выставляет по ША адрес ячейки памяти (ЯП), а по
ШУ - сигнал MEMRD в цикле чтения памяти или MEMWR в цикле записи (рис.
3.1). Причем эти сигналы управления активно низкие и одновременно никогда
не могут быть активными. В цикле чтения информация передается по ШД из
памяти в МП, а в цикле записи - из МП в память. Если же к памяти обращения
нет, то ее выходы отключены от ШД. Описанный алгоритм работы памяти
реализовывается схемой управления, которая входит в состав
разрабатываемого блока.
[pic]
Память МПС включает в себя ПЗУ, предназначенное для хранения
программ, различных констант, табличных данных и т.д., и ОЗУ, которое
используется для хранения промежуточных данных и массивов данных,
поступающих с внешних устройств, организации стековой памяти и т.д. Область
адресов ЯП ПЗУ лежит начиная с нулевого до максимального, определяемого
информационным объемом этого узла, следом за которыми располагаются адреса
ЯП ОЗУ.
Таким образом в состав разрабатываемого блока памяти входит блок ПЗУ,
блок ОЗУ и схема управления.
3.1. Разработка электрических схем блоков ПЗУ и ОЗУ.
Заданные микросхемы ПЗУ К556РТ20 и ОЗУ К132РУ9А имеют объём 1К*8 и
1К*4 соответственно.
Для увеличения “ширины” выборки необходимо объединить соответствующие
адресные входы и входы управления микросхем памяти. Из сказанного следует,
что для микросхем ПЗУ, увеличение “ширины” выборки не требуется, а для ОЗУ
требуется объединить 2 микросхемы.
Для увеличения информационной ёмкости объединяем соответствующие
входы и соответствующие выходы для ПЗУ – 20 микросхем, а для ОЗУ – 20
микросхемы. Получим информационную ёмкость соответственно 20К*8 и 10К*8.
Для уменьшения емкостной нагрузки системной шины внутренние шины
адреса и данных блоков подключаем к ней через буферные формирователи
построенные на микросхемах К1554АП6. Причем разобьём БП на две составные
части: блок ПЗУ и блок ОЗУ. Входы и выходы этих блоков подключим к разным
буферным формирователям.
Составим карту памяти заданного устройства:
|А14 |А13 |А12 |А11 |А10 |А9 |А8 |А7 |А6 |А5 |А4 |А3 |А2 |А1 |А0 |Узел |
|0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |ПЗУ |
|Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |ПЗУ |
|1 |0 |0 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |ПЗУ |
|1 |0 |1 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |0 |ОЗУ |
|Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |Х |ОЗУ |
|1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |1 |ОЗУ |
Для адресации разрабатываемого БП можно использовать четыре
дешифратора 1554ИД7 (имеющим организацию 3*8). Старшие разряды адресов
используются для подачи сигналов на входы разрешения дешифраторов.
3.2. Разработка селектора адреса.
Так как выбор между блоками ПЗУ и ОЗУ осуществляется
разрядами адреса (А12(А14), будем использовать эти адреса для
синтезирования схемы селектора адреса.
Синтезируем схему селектора адреса с помощью карт Карно.
|А14 |А13 |А12 |F |
|C |B |A | |
|0 |0 |0 |0 |
|0 |0 |1 |0 |
|0 |1 |0 |0 |
|0 |1 |1 |0 |
|1 |0 |0 |0 |
|1 |0 |1 |1 |
|1 |1 |0 |1 |
|1 |1 |1 |1 |
F=CA+CB=CA+CB=CA ( CB
Для управления работой селектора адреса используем сигналы [pic] и
[pic], так как определенный блок выбирается низким уровнем сигнала.
Селектор адреса вырабатывает сигналы AS0 и AS1, при обращении к
ПЗУ и ОЗУ, соответственно. При этом оба этих сигнала активно
низкие. Сигналы AS0 или AS1 только тогда будут выбирать один из
блоков памяти, когда один из сигналов MEMWR или MEMRD будет
активным низким. Если же оба сигнала будут активно высокими, то
это будет запретом обращения к памяти.
3.3. Временная диаграмма работы БП.
A
CS
RD
D
tA – время установки адреса
tp1 – время считывания (40 нс для 556РТ20);
tH1 – время удержания адреса
4. Расчет электрических параметров блока памяти.
Максимально допустимое количество объединяемых входов КI микросхем памяти
определим из того, что суммарные токи нагрузки для высокого и низкого
уровней сигнала и емкостная нагрузка не должны превышать значений,
допустимых для выхода буферного каскада, используемого в данной цепи:
[pic],
где IOH , IOL, COL - максимально допустимые значения токов нагрузки
высокого и низкого уровней и емкости нагрузки буферного элемента, IIH,
IIL, CI - входные токи высокого и низкого уровней и емкость входов, СМ -
емкость монтажа.
KIПЗУ=min(76*10-3/0.25*10-3;81*10-3/40*10-6;500-20/15)=32
KОЗУ=min(76*10-3/0.2*10-3;81*10-3/4*10-6;500-20/10)=48
Так как у нас используется 20 микросхем, то условие выполняется.
Определяем максимально допустимое количество объединяемых выходов КО
[pic],
где CLMAX - максимально допустимая емкость нагрузки выхода, CO - емкость
выхода, C I , NIN - емкость и количество входов, подключенных к данному
выходу, CM - емкость монтажа.
200СLMAXПЗУ>=8(20-1)+15*1+20=187
200СLMAXОЗУ>=7(20-1)+15*1+20=168
Из расчета видно что для буферизации ШД достаточно одной МС
буфера К1554АП6 как для ПЗУ так и для ОЗУ.
При расчете динамических параметров разработанного блока памяти учтём
тот факт, что времена задержек распространения сигнала, указаны для
емкости нагрузки CL = 50 пФ. Скорректируем значения времен задержек
распространения сигналов в большую сторону из расчета: - 0.07 нс/пФ.
tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме записи)
tОЗУ=16+10+(60+118*0,07)+13=107,26 нс (в режиме считывания)
tПЗУ=16+10+(40+137*0,07)+13=112,39 нс
Мощность, потребляемая блоком памяти, (PCC) определяется как сумма
средних мощностей, потребляемых микросхемами памяти и логики, на которых
реализованы схемы управления.
PЛОГ =2PАП6+4PИД7+PЛП5+PЛН1
PЛОГ =2*80*10-6*5+4*80*10-6*5+40*10-6*5+40*10-6*5=2,8мВт
Для режима хранения получим:
PCCXP=PXPПЗУ*NПЗУ+ PXPОЗУ*NОЗУ+ PЛОГ
PCCXP=900*20+250*20+2,8=23Вт
При расчете мощности, потребляемой микросхемами памяти в режиме
обращения, учтём тот факт, что в активном режиме находятся БИС только
одного выбранного столбца матрицы памяти, а все остальные БИС памяти
переведены в энергосберегающий режим. «Наихудший» случай когда обращение
происходит к блоку ОЗУ. Тогда для этого режима работы блока памяти
имеем :
PCCO=PXPПЗУ *NОЗУХР + PXРОЗУ NОЗУХР + PОЗУОБР *NОЗУОБР+PЛОГ
PCCO =20*900+18*250+2*900+2.8=23.4Вт
ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.
1. Функциональная схема блока памяти.
Литература
Ермаков А. Е., Ермакова О.П. Задание на курсовую работу с
методическими указаниями по дисциплине «Схемотехника» /РГОТУПС. -М.:
1999. -10 с.
Ермаков А. Е., Схемотехника ЭВМ. Учебное пособие. -М.: РГОТУПС, 1997.
-352 с.
Применение микросхем памяти в электронных устройствах: Справочник/ О.
Н. Лебедев- М.: Радио и связь, 1994. -216 с.
Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. - Ч.:
Металлургия 1989. - 352 с.
Петровский И. И., Прибыльский А. В., Логические ИС КР1533, КР1554: /
Справочник. - М.: БИНОМ, 1993.
-----------------------
Рис. 3.1 Временная диаграмма работы блока памяти
[pic]
Временная диаграмма работы блока памяти в режиме считывания.
tA
tp1
tH1
Реферат на тему: Блок усиления мощности нелинейного локатора
Министерство образования Российской Федерации
ТОМСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
(ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)
Блок усиления мощности нелинейного локатора
Пояснительная записка к курсовому
проекту по дисциплине «Схемотехника аналоговых электронных устройств»
Выполнил:
студент гр.148-3
______ Авраменко А.А.
Проверил:
преподаватель каф. РЗИ
______Титов А.А.
2001
Содержание
1.Введение..................................................................
........................3
2.Техническое
задание.....................................................................
.4
3.Расчётная
часть…......................................................................
.....5
3.1 Структурная схема
усилителя...........................................…..5
3.2 Распределение линейных искажений в области ВЧ ........….5
3.3 Расчёт выходного каскада……………………………............5
3.3.1 Выбор рабочей
точки..................................................5
3.3.2 Выбор
транзистора......................................................6
3.3.3 Расчёт эквивалентных схем
транзистора.......….…………………………...............7
3.3.4 Расчёт цепи термостабилизации
и выбор источника питания …........…………...........9
3.3.5 Расчёт элементов ВЧ
коррекции...............................15
3.4 Расчёт промежуточного
каскада.…………............................…………………….............18
3.4.1 Выбор рабочей точки……………………….............18
3.4.2 Выбор транзистора………………………….............18
3.4.3 Расчёт эквивалентных схем
транзистора………………………………….............19
3.4.4 Расчёт цепи термостабилизации..…………............19
3.4.5 Расчёт цепи коррекции между входным
и промежуточным
каскадами....................................20
3.5 Расчёт входного каскада...........……………………..............23
3.5.1 Выбор рабочей точки....................………….............23
3.5.2 Выбор транзистора...........……………………..........23
3.5.3 Расчёт эквивалентных схем
транзистора …............………....……………............24
3.5.4 Расчёт цепей термостабилизации.............................25
3.5.5 Расчёт входной корректирующей цепи...................25
3.6 Расчёт выходной корректирующей цепи..............................26
3.7 Расчёт разделительных и блокировочных
ёмкостей……………………………………………...............28
4 Заключение…………………………………………….…………31
Литература
1.Введение
В данной курсовой работе требуется рассчитать блок усиления мощности
нелинейного локатора (БУМ). БУМ является одним из основных блоков
нелинейного локатора, он обеспечивает усиление сканирующего по частоте
сложного сигнала.
БУМ должен иметь малый уровень нелинейных искажений и высокий
коэффициент полезного действия, обеспечивать заданную выходную мощность в
широкой полосе частот и равномерную амплитудно-частотную характеристику
нелинейного локатора.
При проектировании любого усилителя основной трудностью является
обеспечение заданного усиления в рабочей полосе частот. В данном случае
полоса частот составляет 20-500 МГц. С учётом того, что усилительные
свойства транзисторов значительно ухудшаются с ростом частоты, то
разработка устройства с подъёмом АЧХ на таких частотах является непростой
задачей. Наиболее эффективным представляется использование в данном случае
межкаскадных корректирующих цепей 3-го порядка. Такая цепь позволит
оптимальным, для нашего случая, образом получить нужный коэффициент
усиления с нелинейными искажениями, не выходящими за рамки данных в
задании.
2. Техническое задание
Усилитель должен отвечать следующим требованиям:
1. Рабочая полоса частот: 20-500 МГц
2. Линейные искажения
в области нижних частот не более 1.5 дБ
в области верхних частот не более 1ю5 дБ
3. Коэффициент усиления 15 дБ
4. Выходная мощность 5 Вт
5. Диапазон рабочих температур: от +10 до +50 градусов Цельсия
6. Сопротивление источника сигнала и нагрузки Rг=Rн=50 Ом
3. Расчётная часть
3.1 Структурная схема усилителя.
Зная, что каскад с общим эмиттером позволяет получать усиление около 7
дБ, оптимальное число каскадов данного усилителя равно трём. Предварительно
распределим на каждый каскад по 6 дБ. Таким образом, коэффициент усиления
устройства составит 18 дБ, из которых 15 дБ требуемые по заданию, а 3 дБ
будут являться запасом усиления.
Структурная схема, представленная на рисунке 3.1, содержит кроме
усилительных каскадов корректирующие цепи, источник сигнала и нагрузку.
[pic]
Рисунок 3.1
3.2 Распределение линейных искажений в
области ВЧ
Расчёт усилителя будем проводить исходя из того, что искажения
распределены как 1 дБ на каждый каскад БУМ.
3. Расчёт выходного каскада
3.3.1 Выбор рабочей точки
Координаты рабочей точки можно приближённо рассчитать по следующим
формулам [1]:
[pic],
(3.3.1)
где [pic]
(3.3.2)
[pic],
(3.3.3)
где [pic] – начальное напряжение нелинейного участка выходных
характеристик транзистора, [pic].Возьмем
Так как в выбранной мной схеме выходного каскада сопротивление
коллектора отсутствует, то [pic]. Выходное напряжение и выходной ток
транзистора можно рассчитать по формулам:
,
(3.3.4)
.
(3.3.5)
При подстановке значений, получаем
.
Рассчитывая по формулам 3.3.1 и 3.3.3, получаем следующие координаты
рабочей точки:
[pic]мА, [pic]В.
Найдём мощность, рассеиваемую на коллекторе
[pic]12.18 Вт.
3.3.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется с учётом следующих предельных
параметров:
1. граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
[pic];
2. предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер
[pic];
1. предельно допустимого тока коллектора
[pic];
4. предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
[pic].
Этим требованиям полностью соответствует транзистор КТ916А. Его
основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
4. Ёмкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ;
5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
2. Постоянный ток коллектора [pic]мА;
3. Температура перехода [pic]К.
Нагрузочные прямые по переменному и постоянному току для выходного
каскада представлены на рисунке 3.2. Напряжение питания выбрано равным
24,36 В.
Рисунок 3.2
3.3.3 Расчёт эквивалентных схем транзистора
Расчёт схемы Джиаколетто:
Соотношения для расчёта усилительных каскадов основаны на использовании
эквивалентной схемы транзистора, предложенной Джиаколетто, справедливой для
области относительно низких частот.
Схема модели представлена на рисунке 3.3.
[pic]
Рисунок 3.3
Элементы схемы можно рассчитать, зная паспортные данные
транзистора, по формулам [2]:
Проводимость базового вывода :
,
(3.3.6)
Где - ёмкость коллекторного вывода, при напряжении на
транзисторе равном 10 В. Значение этой ёмкости можно вычислить. Для этого
нужно знать паспортное значение коллекторной ёмкости и значение
напряжение ,при котором снималась паспортная ёмкость. Пересчёт
производится по формуле:
,
(3.3.7)
Ёмкость коллекторного вывода:
Ёмкость эмитерного вывода:
(3.3.8)
(3.3.8)
Проводимость :
.
(3.3.9)
Проводимости и оказываются много меньше проводимости нагрузки
усилительных каскадов, в расчётах они обычно не учитываются.
Проведя расчёт по формулам 3.3.6 ( 3.3.9, получаем значения элементов
схемы:
пФ
пФ
Расчёт высокочастотной модели:
Поскольку рабочие частоты усилителя заметно больше частоты [pic], то из
эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет
на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов
транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть
включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на
рисунке 3.4. Описание такой модели можно найти в [2].
[pic]
Рисунок 3.4
Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже
формулам.
Входная индуктивность:
[pic],
(3.3.10)
где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.
Входное сопротивление:
[pic],
(3.3.11)
Крутизна транзистора:
[pic],
(3.3.12)
Выходное сопротивление:
[pic].
(3.3.13)
Выходная ёмкость:
[pic].
(3.3.14)
В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов
эквивалентной схемы:
[pic]нГн;
[pic]пФ;
[pic]Ом;
[pic]А/В;
[pic]Ом;
[pic]пФ.
3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации и выбор источника питания
Существует несколько вариантов схем термостабилизации. Их использование
зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к
термостабильности. В данной работе рассмотрены три схемы термостабилизации:
пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная.
3.3.4.1 Пассивная коллекторная термостабилизация
Данный вид термостабилизации (схема представлена на рисунке 3.4)
используется на малых мощностях и менее эффективен, чем две другие, потому
что напряжение отрицательной обратной связи, регулирующее ток через
транзистор подаётся на базу через базовый делитель.
[pic]
Рисунок 3.5
Расчёт, подробно описанный в [3], заключается в следующем: выбираем
напряжение [pic] (в данном случае [pic]В) и ток делителя [pic](в данном
случае [pic], где [pic] – ток базы), затем находим элементы схемы по
формулам:
[pic];
(3.3.15)
[pic],
(3.3.16)
где [pic]– напряжение на переходе база-эмиттер равное 0.7 В;
[pic].
(3.3.17)
Получим следующие значения:
[pic]Ом;
[pic]Ом;
[pic]Ом.
3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация
Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах
и является очень эффективной, её схема представлена на рисунке 3.5. Её
описание и расчёт можно найти в [2].
[pic]
Рисунок 3.6
В качестве VT2 возьмём КТ916А. Выбираем падение напряжения на резисторе
[pic] из условия [pic](пусть [pic]В), затем производим следующий расчёт:
[pic];
(3.3.18)
[pic];
(3.3.19)
[pic];
(3.3.20)
[pic];
(3.3.21)
[pic],
(3.3.22)
где [pic] – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
транзистора КТ361А;
[pic];
(3.3.23)
[pic];
(3.3.24)
[pic].
(3.3.25)
Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы
переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а
величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора
VT1 по переменному току был заземлён.
3.3.4.3 Эмиттерная термостабилизация
Принцип действия эмиттерной термостабилизации представлен на рисунке
3.6. Метод расчёта и анализа эмиттерной термостабилизации подробно описан в
[3].
[pic]
Рисунок 3.7
Расчёт производится по следующей схеме:
1.Выбираются напряжение эмиттера [pic] и ток делителя [pic] (см. рис.
3.7), а также напряжение питания [pic];
2. Затем рассчитываются [pic].
3. Производится поверка – будет ли схема термостабильна при выбранных
значениях [pic] и [pic]. Если нет, то вновь осуществляется подбор [pic] и
[pic]. Возьмём [pic]В и [pic] мА. Учитывая то, что в коллекторной цепи
отсутствует резистор, то напряжение питания рассчитывается по формуле
[pic]В. Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:
[pic];
(3.3.25)
[pic];
(3.3.26)
[pic].
(3.3.27)
Для того, чтобы выяснить будет ли схема термостабильной производится
расчёт приведённых ниже величин.
Тепловое сопротивление переход – окружающая среда:
[pic],
(3.3.28)
где [pic],[pic] – справочные данные;
[pic]К – нормальная температура.
Температура перехода:
[pic],
(3.3.29)
где [pic]К – температура окружающей среды (в данном случае взята
максимальная рабочая температура усилителя);
[pic] – мощность, рассеиваемая на коллекторе.
Неуправляемый ток коллекторного перехода:
[pic],
(3.3.30)
где [pic] – отклонение температуры транзистора от нормальной;
[pic] лежит в пределах [pic]А;
[pic] – коэффициент, равный 0.063–0.091 для германия и 0.083–0.120 для
кремния.
Параметры транзистора с учётом изменения температуры:
[pic],
(3.3.31)
где [pic] равно 2.2(мВ/градус Цельсия) для германия и
3(мВ/градус Цельсия) для кремния.
[pic], (3.3.32)
где [pic](1/ градус Цельсия).
Определим полный постоянный ток коллектора при изменении температуры:
[pic], (3.3.33)
где
[pic]. (3.3.34)
Для того чтобы схема была термостабильна необходимо выполнение условия:
[pic],
где [pic].
(3.3.35)
Рассчитывая по приведённым выше формулам, получим следующие значения:
[pic]Ом;
[pic]Ом;
[pic]Ом;
[pic]Ом;
[pic]К;
[pic]К;
[pic]А;
[pic]Ом;
[pic];
[pic]Ом;
[pic]А;
[pic]А.
Как видно из расчётов условие термостабильности выполняется.
Из всех рассмотренных выше типов термостабилизации была выбрана активная
коллекторная термостабилизация, как наиболее подходящая для моего
усилителя. Активным элементом был выбран транзистор КТ361A.
3.3.4.4 Выбор источника питания
При выборе номинала источника питания нужно учитывать выбранный вид
термостабилизации. При активной коллекторной термостабилизации на
резисторе дополнительно будет падать 1 вольт. Таким образом номинал
источника питания будет складываться из напряжения в рабочей точке
транзистора и падения напряжения на . Тогда:
В
3.3.5 Расчет элементов ВЧ коррекции
В качестве ВЧ коррекции мною была выбрана межкаскадная корректирующая
цепь 3-го порядка. Но после расчёта коэффициента усиления выходного каскада
оказалось, что каскад даёт слишком малое усиление, а именно – около 2.5 дБ.
После расчёта промежуточного каскада были получены примерно такие же
результаты. В результате общее усиление, выдаваемое трёмя каскадами
усилителя, вышло равным примерно 11 дБ, вместо 15 требуемых. Для увеличения
коэффициента усиления третий каскад на транзисторе КТ916А был заменен
каскадом со сложением напряжения, выполненным на транзисторе КТ948Б. Для
активного элемента промежуточного каскада был выбран транзистор КТ913Б.
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 3.8.
[pic]
Рисунок 3.8
Расчёт каскада полностью описан в [2].
При условии:
[pic]
(3.3.36)
Каскад выдает напряжение, равное входному, оставляя неизменным ток,
отдаваемый предыдущим каскадом. Поэтому ощущаемое сопротивление нагрузки
каскада равно половине сопротивления нагрузки, а его входное сопротивление
также равно половине сопротивления нагрузки, вплоть до частот
соответствующих . При выполнении условия (3.3.36)
коэффициент усиления каскада в области ВЧ описывается выражением:
,
Где:
[pic]
[pic];
[pic];
[pic];
[pic]);
[pic].
В случае получения оптимальной по Брауде АЧХ, значения
равны:
[pic];
(3.3.37)
[pic].
(3.3.38)
Так как был использован каскад со сложением напряжения, произошло
смещение рабочей точки, рассчитанной ранее. Напряжение в рабочей точке
транзистора КТ948Б будет равно 13.2 вольт. Ток останется неизменным, т.е.
будет равен 0.5 ампер. Также можно поменять номинал источника питания -
взять его равным 14.2 вольт.
Так как каскад со сложением напряжения осуществляет подъём АЧХ, т.е.
улучшает её форму, будем считать, что каскад не вносит линейных искажений и
не требует МКЦ. Тогда произведём пересчёт искажений: 2 дБ отдадим на
промежуточный каскад и 1 дБ на входной.
Основные технические характеристики транзистора КТ948Б:
Электрические параметры:
7. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
8. Постоянная времени цепи обратной связи, при напряжении 10 вольт,
[pic]пс;
9. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
10. Ёмкость коллекторного перехода [pic]пФ;
11. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
12. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
4. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
5. Постоянный ток коллектора [pic]А;
6. Температура перехода [pic]К.
По формулам 3.3.6 ( 3.3.9 получаем значения элементов модели Джиаколетто:
пФ
пФ
По формулам 3.3.10 ( 3.3.14 получаем значения элементов ВЧ модели:
[pic]нГн;
[pic]пФ;
Ом;
[pic]А/В;
[pic]Ом;
[pic]пФ.
Используя эти данные, вычисляем значения для элементов по
формулам 3.3.37-3.3.38, а также значения элементов схемы термостабилизации,
используя формулы 3.3.18 ( 3.3.25.
Значения :
Значения элементов схемы термостабилизации:
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic].
Коэффициент усиления выходного каскада – 6 дБ.
3.4 Расчёт промежуточного каскада
3.4.1 Выбор рабочей точки
При расчёте требуемого режима транзистора промежуточных и входного
каскадов по постоянному току, следует ориентироваться на соотношения,
приведённые в пункте 3.3.1 с учётом того, что [pic] заменяется на входное
сопротивление последующего каскада. Так как выходной каскад является
каскадом со сложением напряжения, то координаты рабочей точки у
промежуточного каскада те же, что и у выходного.
3.4.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется в соответствии с требованиями,
приведенными в пункте 3.3.2. Этим требованиям отвечает транзистор КТ913Б.
Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1. граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]ГГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс, при напряжении 10
вольт;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
4. Ёмкость коллекторного перехода при [pic]В [pic]пФ;
5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
2. Постоянный ток коллектора [pic]А;
3. Температура перехода [pic]К.
3.4.3 Расчёт эквивалентных схем транзистора
Используя формулы 3.3.6 ( 3.3.9, получаем значения элементов модели
Джиаколетто:
пФ
пФ
По формулам 3.3.10 ( 3.3.14 получаем значения элементов ВЧ модели:
нГн;
[pic]пФ;
[pic]Ом;
[pic]А/В;
[pic]Ом;
[pic]пФ.
3.4.4 Расчёт цепи термостабилизации
Метод расчёта схемы идентичен приведённому в пункте 3.3.4.2. Элементы
схемы термостабилизации будут равны соответствующим элементам схемы
термостабилизации выходного каскада. Это следует из схемы включения
выходного каскада. Таким образом, элементы схемы будут следующими:
[pic];
[pic];
[pic];
[pic],
[pic];
[pic];
[pic].
3.4.5 Расчёт цепи коррекции между входным и промежуточным
каскадами
В качестве цепи коррекции использована межкаскадная корректирующая
цепь 3-го порядка. Схема включения цепи представлена на рисунке 3.9.
[pic]
Рисунок 3.9
Используя схему замещения транзистора, показанную на рисунке 3.4, схему
(рисунок 3.9) можно представить в виде эквивалентной схеме, показанной на
рисунке 3.10.
[pic]
Рисунок 3.10
Расчёт такой схемы подробно описан в [2].
Коэффициент прямой передачи каскада на транзисторе Т2, при условии
использования выходной корректирующей цепи, равен:
[pic]; (3.4.1)
Где [pic] (3.4.2)
[pic]
[pic]- нормированное относительно [pic]Т2 сопротивление нагрузки;
[pic]=[pic], [pic]=[pic] - нормированные относительно [pic] Т1 и [pic]
значения [pic] и [pic]. При заданных значениях [pic],[pic],[pic],
соответствующих требуемой форме АЧХ каскада, нормированные значения
[pic],[pic],[pic] рассчитываются по формулам:
[pic] (3.4.3)
где [pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic];
[pic],
[pic],
[pic]=[pic]- нормированные значения [pic],[pic],[pic].
В теории фильтров известны табулированные значения [pic],[pic],[pic]
соответствующие требуемой АЧХ цепи описываемой функцией вида 3.3.26
Для выравнивания АЧХ в области НЧ используется резистор [pic],
рассчитываемый по формуле:
[pic]
(3.4.4)
При работе каскада в качестве промежуточного, в формуле 3.3.27 [pic]
принимается равным единице, при работе в качестве входного [pic]=0.
После расчёта [pic],[pic],[pic], истинные значения элементов находятся из
соотношений:
[pic], [pic], [pic]. (3.4.5)
В нашем случае значения [pic],[pic],[pic] и [pic]следующие:
[pic]= 75 А;
[pic]= 3.72 пФ;
[pic]= 2.75 нГн;
[pic]=0.719 Ом;
При условии, что линейные искажения составляют 2 дБ, берём значения
[pic],[pic],[pic] из таблицы приведённой в [2]:
[pic]= 3.13
[pic]= 2.26
[pic]= 3.06
Тогда, из формул описанных выше, получаем:
D = 1.01
B = -4.023
A = 0.048
Тогда нормированные значения межкаскадной корректирующей цепи равны:
Истинные значения элементов:
Значения [pic] и получились следующими:
3.5 Расчёт входного каскада
3.5.1 Выбор рабочей точки
Что бы впоследствии не ставить дополнительный источник питания, возьмём
тоже напряжение в рабочей точке, что и в остальных каскадах. Ток в рабочей
точке будет равен току коллектора транзистора промежуточного каскада,
поделённому на коэффициент усиления промежуточного каскада (в разах) и
умноженному на 1.1. Тогда получаем следующие координаты рабочей точки:
3.5.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется в соответствии с требованиями,
приведенными в пункте 3.3.2. Этим требованиям отвечает транзистор КТ939А.
Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
7. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]ГГц;
8. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс, при напряжении 10
вольт;
9. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
10. Ёмкость коллекторного перехода при [pic]В [pic]пФ;
11. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
12. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
4. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
5. Постоянный ток коллектора [pic]мА;
6. Температура перехода [pic]К.
3.5.3 Расчёт эквивалентных схем транзистора
Расчёт ведётся по формулам, описанным в пункте 3.3.3.
Для схемы Джиаколетто получаем такие значения элементов:
пФ
Для элементов ВЧ модели:
[pic]нГн;
[pic]пФ;
Ом;
[pic]А/В;
[pic]Ом;
[pic]пФ.
3.5.4 Расчёт схемы термостабилизации
Расчёт схемы ведётся по формулам, описанным в пункте 3.3.4.2. Значения
элементов схемы:
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic],
[pic].
3.5.5 Расчёт входной корректирующей цепи
Для входной корректирующей цепи также была выбрана межкаскадная
корректирующая цепь 3-го порядка, описанная в пункте 3.4.5.
В нашем случае значения [pic],[pic],[pic] и [pic]следующие:
[pic]= 50 А;
[pic]= 0;
[pic]= 0.345 нГн;
[pic]=1.076 Ом;
При условии, что линейные искажения составляют 1 дБ, берём значения
[pic],[pic],[pic] из таблицы приведённой в [2]:
[pic]= 2.52
[pic]= 2.012
[pic]= 2.035
Тогда, из формул описанных выше, получаем:
D = 1.043
B = -3.075
A = 0.115
Тогда нормированные значения межкаскадной корректирующей цепи равны:
Истинные значения элементов:
Значения [pic] и получились следующими:
3.6 Расчёт выходной корректирующей цепи
Расчёт КЦ производится в соответствии с методикой описанной в [2].
Схема выходной корректирующей цепи представлена на рисунке 3.11. Найдём
[pic]– выходную ёмкость транзистора нормированное относительно [pic] и
[pic]. Сама выходная ёмкость в данном случае является последовательным
соединением коллекторных емкостей транзисторов КТ913Б и КТ948Б.
[pic]
(3.6.1)
[pic].
[pic]
Рисунок 3.11
Теперь по таблице, приведённой в [2], найдём ближайшее к рассчитанному
значение [pic] и выберем соответствующие ему нормированные величины
элементов КЦ [pic] и [pic], а также [pic]–коэффициент, определяющий
величину ощущаемого сопротивления нагрузки [pic] и модуль коэффициента
отражения [pic].
[pic]
Найдём истинные значения элементов по формулам:
[pic];
(3.6.2)
[pic];
(3.6.3)
[pic].
(3.6.4)
[pic]нГн;
[pic]пФ;
[pic]Ом.
Рассчитаем частотные искажения в области ВЧ, вносимые выходной цепью:
[pic],
(3.6.5)
[pic],
или [pic]дБ.
3.7 Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей
На рисунке 3.12 приведена принципиальная схема усилителя. Рассчитаем
номиналы элементов обозначенных на схеме. Расчёт производится в
соответствии с методикой описанной в [1]
Рисунок 3.12
Рассчитаем ёмкость фильтра по формуле:
[pic],
(3.7.1)
где [pic]– нижняя граничная частота усилителя, а
входного каскада, для нашего случая.
[pic]Ом;
[pic]нФ.
Так как разделительные ёмкости вносят искажения в области нижних
частот, то их расчёт следует производить, руководствуясь допустимым
коэффициентом частотных искажений. В данной работе этот коэффициент
составляет 3дБ. Всего ёмкостей четыре, поэтому можно распределить на каждую
из них по 0.75дБ.
Найдём постоянную времени, соответствующую неравномерности 0.75дБ по
формуле:
[pic],
(3.7.2)
где [pic] – допустимые искажения в разах.
[pic]
Величину разделительного конденсатора найдём по формуле:
[pic],
(3.7.3)
Тогда
[pic]
Величины блокировочных ёмкостей и дросселей найдем по формулам:
(3.7.4)
(3.7.5)
(3.7.6)
(3.7.7)
(3.7.8)
Тогда
4. Заключение
Рассчитанный усилитель имеет следующие технические характеристики:
1. Рабочая полоса частот: 20-500 МГц
2. Линейные искажения
в области нижних частот не более 1.5 дБ
в области верхних частот не более 1.5 дБ
3. Коэффициент усиления 21дБ
4. Выходная мощность - 5 Вт
5. Питание однополярное, Eп=14.2 В
6. Диапазон рабочих температур: от +10 до +50 градусов Цельсия
Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=50 Ом
Усилитель имеет запас по усилению 6дБ, это нужно для того, чтобы в
случае ухудшения, в силу каких либо причин, параметров отдельных элементов
коэффициент передачи усилителя не опускался ниже заданного уровня,
определённого техническим заданием.
| |
| |
| | | | | | |
| | | | | |РТФ КП 468730.001.ПЗ |
| | | | | | |
| | | | | | |Лит |Масса |Масштаб |
|Из|Лис|Nдокум. |Подп.| | Блок усиления | | | | | |
|м |т | | | |мощности | | | | | |
|Выполн|Авраменко | | | нелинейного | | | | | |
|ил | | | |локатора | | | | | |
|Провер|Титов | | | Схема электрическая | | | | | |
|ил | | | | | | | | | |
| | | | | принципиальная |Лист |Листов |
| | | | | |ТУСУР РТФ |
| | | | |Принципиальная |Кафедра РЗИ |
| | | | |схема |Гр. 148-3 |
Литература
1. Красько А.С., Проектирование усилительных устройств,
методические указания
2. Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных
усилительных каскадов на биполярных транзисторах , Томск,
ТУСУР, 1999.
Адрес в Интернете – http://referat.ru/download/ref-2764.zip
3. Болтовский Ю.Г., Расчёт цепей термостабилизации
электрического режима транзисторов, методические указания
4. Титов А.А., Григорьев Д.А., Расчёт элементов высокочастотной
коррекции усилительных каскадов на полевых транзисторах,
учебно-методическое пособие, Томск, ТУСУР, 1999.
|Позиция |Наименование |Кол |Примечание |
|Обозн. | | | |
| |Конденсаторы ГОСТ 2519-67 | | |
|С1 |КД-2-523пФ(5% |1 | |
|С2 |КД-2-15,4пФ(5% |1 | |
|С3 |КД-2-12,1пФ(5 |1 | |
|С4 |КД-2-0,04пФ(5% |1 | |
|C5 |КД-2-64,2пФ(5% |1 | |
|С6 |КД-2-64,2нФ(5% |1 | |
|С7 |КД-2-352пФ(5% |1 | |
|С8 |КД-2-9,53пФ(5% |1 | |
|С9 |КД-2-2,77пФ(5% |1 | |
|С10 |КД-2-79,6пФ(5% |1 | |
|С11 |КД-2-0,08пФ(5% |1 | |
|С12 |КД-2-481пФ(5% |1 | |
|С13 |КД-2-79,6пФ(5% |1 | |
|С14 |КД-2-16,7пФ(5% |1 | |
|С15 |КД-2-0,127пФ(5% |1 | |
|С16 |КД-2-309пФ(5% |1 | |
|С17 |КД-2-0,08пФ(5% |1 | |
|С18 |КД-2-7,87пФ(5% |1 | |
| | | | |
| |Катушки индуктивности | | |
|L1 |Индуктивность 6,71нГн(10% |1 | |
|L2 |Индуктивность 11,94нГн(10% |1 | |
|L3 |Индуктивность 2,141нГн(10% |1 | |
|L4 |Индуктивность 8,76нГн(10% |1 | |
|L5 |Индуктивность 8,76нГн(10% |1 | |
|L6 |Индуктивность 0,5мкГн (10% |1 | |
|L7 |Индуктивность 7,96нГн (10% |1 | |
|L8 |Индуктивность 14,75нГн (10% |1 | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | |РТФ КП 468730.001 ПЗ | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | | |Лит |Масса |Масштаб | | |
|Изм |Лист|Nдокум. |Подп. |Дата | Блок усиления | | | | | |
| | | | | |мощности | | | | | |
| Выполнил|Авраменко | | | нелинейного | | | | | | |
| | | | |локатора | | | | | | |
|Проверил |Титов | | | | | | | | | |
| | | | | |Лист 1 |Листов 2 | | | | |
| | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | |
| | | | |Перечень элементов |Кафедра РЗИ | | | | | |
| | | | | |гр. 148-3 | | | | | |
|Позиция |Наименование |Кол |Примечание |
|Обозн. | | | |
| |Резисторы ГОСТ 7113-77 | | |
|R1 |МЛТ–0,125-2,29кОм(5% | | |
|R2 |МЛТ–0,125-4,07кОм(5% |1 | |
|R3 |МЛТ–0,125-1,4кОм(5% |1 | |
|R4 |МЛТ–0,125-1,89кОм(5% |1 | |
|R5 |МЛТ–0,125-2,52Ом(5% |1 | |
|R6 |МЛТ–0,125-1,82кОм(5% |1 | |
|R7 |МЛТ–0,125-1,91кОм(5% |1 | |
|R8 |МЛТ–0,125-6,26кОм(5% |1 | |
|R9 |МЛТ–0,125-856Ом(5% |1 | |
|R10 |МЛТ–0,125-2Ом(5% |1 | |
|R11 |МЛТ–0,125-1,91кОм(5% |1 | |
|R12 |МЛТ–0,125-6,26кОм(5% |1 | |
|R13 |МЛТ–0,125-856Ом(5% |1 | |
|R14 |МЛТ–0,125-1,26кОм(5% |1 | |
|R15 |МЛТ–0,125-2Ом(5% |1 | |
| | | | |
| |Транзисторы | | |
|VT1 |КТ361А |1 | |
|VT2 |КТ939А |1 | |
|VT3 |КТ361А |1 | |
|VT4 |КТ913Б |1 | |
|VT5 |КТ361А |1 | |
|VT6 |КТ948А |1 | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | |РТФ КП 468730.001 ПЗ | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | | |Лит |Масса |Масштаб | | |
|Изм |Лист|Nдокум. |Подп. |Дата | Блок усиления | | | | | |
| | | | | |мощности | | | | | |
| Выполнил|Авраменко | | | нелинейного | | | | | | |
| | | | |локатора | | | | | | |
|Проверил |Титов | | | | | | | | | |
| | | | | |Лист 2 |Листов 2 | | | | |
| | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | |
| | | | |Перечень элементов |Кафедра РЗИ | | | | | |
| | | | | |гр. 148-3 | | | | | |
-----------------------
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
| |
